特許

J-GLOBAL ID：201003007742369081

極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置の残留ガス除去方法

発明者： 井上 隆博
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 吉雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224663
公開番号（公開出願番号）：特開2010-061903
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】 放電電極の周囲に残留する気化した原料ガスによる影響を低減するため、放電電極の周囲に残留する気化した原料ガスを除去すること。【解決手段】 極端紫外光を放射するための原料と、前記原料の表面にエネルギービームを照射して前記原料を気化させるためのエネルギービーム照射手段と、前記気化した原料を、放電により加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、前記放電電極に高繰り返し高電圧を供給する高電圧供給手段と、を備える極端紫外光光源装置であって、前記放電電極の付近に残留する前記気化した原料を除去するための残留ガス除去手段を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

極端紫外光を放射するための原料と、 前記原料の表面にエネルギービームを照射して前記原料を気化させるためのエネルギービーム照射手段と、 前記気化した原料を、放電により加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、 前記放電電極に高繰り返し高電圧を供給する高電圧供給手段と、 を備える極端紫外光光源装置であって、 前記放電電極の付近に残留する前記気化した原料を除去するための残留ガス除去手段を備えたことを特徴とする極端紫外光光源装置。

IPC (3件)：

H05G 2/00 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H05G1/00 K ,  H01L21/30 531S ,  G03F7/20 521

Fターム (6件)：

4C092AA06 ,  4C092AB10 ,  4C092AC09 ,  4C092BD05 ,  4C092BD18 ,  5F046GC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 極端紫外光放射源及び半導体露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-071873   出願人：ウシオ電機株式会社