特許
J-GLOBAL ID：200903017817498235

極端紫外光放射源及び半導体露光装置

発明者：
平本 立躬

平本 立躬 について

, 
堀田 和明

堀田 和明 について


出願人/特許権者：
ウシオ電機株式会社

ウシオ電機株式会社 について


代理人 (1件)： 五十畑 勉男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071873
公開番号（公開出願番号）：特開2004-279246
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】プラズマ生成場所まで再現性よく高速搬送が可能で、且つ有害デブリの発生や蒸気の凝結を極力抑制したSnを放射種とする13.5nm放射源を実用に供するようにすること。【解決手段】Snイオンの発光を利用する極端紫外光放射源において、SnH4(モノスタナン)を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長13.5nmの極端紫外光を放射することを特徴とした極端紫外光放射源とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Snイオンの発光を利用する極端紫外光放射源において、 SnH4(モノスタナン)を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長13.5nmの極端紫外光を放射することを特徴とした極端紫外光放射源。
IPC (6件)：
G21K5/00 ,  G03F7/20 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H01L21/027 ,  H05H1/24
FI (10件)：
G21K5/00 Z ,  G03F7/20 503 ,  G03F7/20 521 ,  G21K5/02 X ,  G21K5/08 X ,  G21K5/08 Z ,  H05H1/24 ,  H01L21/30 531S ,  H01L21/30 517 ,  H05G1/00 K
Fターム (20件)：
2H097AA02 ,  2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097CA15 ,  2H097EA01 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  4C092AA06 ,  4C092AA07 ,  4C092AA08 ,  4C092AA14 ,  4C092AA15 ,  4C092AA17 ,  4C092AC09 ,  4C092BD05 ,  4C092BD19 ,  5F046BA05 ,  5F046CA07 ,  5F046CB02 ,  5F046GC03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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