特許
J-GLOBAL ID:201003010913440724
透明導電膜性基材
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-223418
公開番号(公開出願番号):特開2010-061837
出願日: 2008年09月01日
公開日(公表日): 2010年03月18日
要約:
【課題】希少資源であるインジウムの使用量を削減と、透明導電膜の抵抗値(導電性)・耐薬品性・耐久性を併せ持つ透明導電性基材を提供すること。【解決手段】基材4の少なくとも一方の面上に、基材に近い層から順に第1の透明導電膜1、第2の透明導電膜2、第3の透明導電膜3の少なくとも3層が形成されており、第1の透明導電膜及び第3の透明導電膜が錫ドープ酸化インジウムからなり、第2の透明導電膜が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする透明導電性基材とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材の少なくとも一方の面上に、基材に近い層から順に第1の透明導電膜、第2の透明導電膜、第3の透明導電膜の少なくとも3層が形成されており、第1の透明導電膜及び第3の透明導電膜が錫ドープ酸化インジウムからなり、第2の透明導電膜が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする透明導電性基材。
IPC (4件):
H01B 5/14
, B32B 9/00
, C23C 14/06
, C23C 14/08
FI (5件):
H01B5/14 A
, B32B9/00 A
, C23C14/06 P
, C23C14/08 C
, C23C14/08 D
Fターム (30件):
4F100AA25C
, 4F100AA33B
, 4F100AA33C
, 4F100AA33D
, 4F100AB10C
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100EH66
, 4F100JB01
, 4F100JG01B
, 4F100JG01C
, 4F100JG01D
, 4F100JK17A
, 4F100JL00
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 4F100JN01D
, 4F100YY00B
, 4F100YY00D
, 4K029BA45
, 4K029BA49
, 4K029BB02
, 4K029BC09
, 4K029BD00
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC02
, 5G307FC10
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
特開平2-149459
-
スパッタリングターゲット
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-289203
出願人:旭硝子株式会社
前のページに戻る