気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：正林真之 , 林一好
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-195990
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034372
出願日： 2008年07月30日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】半導体ウェーハの裏面のシリコンマストランス現象を抑制できると共に、エピタキシャル層の成長を低減させるサセプタを提供すること。【解決手段】半導体ウェーハWを載置する凹状のウェーハ載置部21を上面に有するサセプタ2であって、ウェーハ載置部21は、第1凹部211と、第2凹部212とからなる。第2凹部212の外周縁側の位置に第1凹部211の底面でウェーハWを支持するウェーハ支持部213が形成されており、第2凹部212の径方向に沿うウェーハ支持部213の長さLは、L=(A-B)+C+D+E<6(mm)(Aはウェーハ載置部21の内径、Bは半導体ウェーハWの直径、Cは半導体ウェーハWのノッチNの深さ、Dはノッチの面取り部分の幅、及びEは安全係数。)の関係を満たし、かつ、半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも10〜400μm高くなるように設定されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを載置する凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタであって、前記ウェーハ載置部は、該サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第1凹部と、前記第1凹部よりも小径で前記第1凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第1凹部と同心の円形の第2凹部と、からなり、前記第2凹部の外周縁側の位置に前記第1凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持するウェーハ支持部が形成されており、前記第2凹部の径方向に沿う前記ウェーハ支持部の長さL(mm)は、下記式(1)の関係を満たすように設定されており、 (1)L=(A-B)+C+D+E<6(mm) (Aは第1凹部の内径(mm)、Bは半導体ウェーハの直径(mm)、Cは半導体ウェーハのノッチの深さ(mm)、Dはノッチの面取り部分の幅(mm)、Eは安全係数(mm)である。) かつ、前記第1凹部の深さは、前記半導体ウェーハが前記ウェーハ載置部に載置された状態で、該サセプタの上面が前記半導体ウェーハの上面よりも10〜400μm高くなるように設定されている気相成長装置用のサセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458 , C30B 25/12

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/458 , C30B25/12

Fターム (26件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB05 , 4G077EG03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 5F031CA02 , 5F031HA07 , 5F031KA03 , 5F031MA28 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045EK12 , 5F045EK13 , 5F045EM02 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (4件)

サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-051842 出願人：信越半導体株式会社
半導体ウェーハ支持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021889 出願人：住友シチックス株式会社
特開昭63-244613

全件表示

審査官引用 (3件)

半導体ウェーハ支持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021889 出願人：住友シチックス株式会社
特開昭63-244613
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-331245 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

前のページに戻る