特許

J-GLOBAL ID：201003011013820625

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 石田 進 ,  秦 昌平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319085
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147040
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】 光の外部取り出し効率を改善するため、半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くし、信頼性の高い構造を得る。【解決手段】 透光性封止材料による封止構造が2重構造であり、且つ、半導体発光素子の屈折率N1と、半導体発光素子の素子側面に接する第1の透光性封止材料の屈折率N2と、更にその外側と発光素子を封止する第2の透光性封止材料の屈折率N3との間に、N1>N2>N3>1の関係を有し、且つ、第1の封止樹脂には屈折率の高い光拡散材が混合されていることを特徴とするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に設けられ、半導体の基材と発光層とを有する発光素子と、 前記発光素子の側面を覆い、前記発光素子の基材よりも屈折率が小さい透光性の第一の封止樹脂と、 前記第一の封止樹脂を覆い、前記第一の封止樹脂よりも屈折率が小さい透光性の第二の封止樹脂とを備え、 前記第一の封止樹脂は、前記第二の封止樹脂の材料に、添加物を添加したものであることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/48 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  H01L23/28 D ,  H01L23/30 F

Fターム (25件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CB36 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA45 ,  5F041DA55 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221945   出願人：シャープ株式会社