特許
J-GLOBAL ID：201003011252068218

発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-112268
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263050
出願日： 2009年05月01日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】パッケージ内においてLEDチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。【解決手段】化合物半導体層2と透明基板4とが、接続層3を介して接合されており、化合物半導体層2の底面と接続層3の上面との間には、第1の反射面3aが設けられ、接続層3の底面と透明基板4の上面との間には、第2の反射面3bが設けられていることを特徴とする発光ダイオード1を採用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を有する発光部を少なくとも含む化合物半導体層と、接続層と、透明基板と、を備え、 前記化合物半導体層と前記透明基板とが、前記接続層を介して接合されており、 前記化合物半導体層の底面と前記接続層の上面との間には、第1の反射面が設けられ、 前記接続層の底面と前記透明基板の上面との間には、第2の反射面が設けられていることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/10 ,  H01L 33/48
FI (2件)：
H01L33/00 130 ,  H01L33/00 400
Fターム (28件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA76 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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