半導体発光装置およびその製作方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-241441
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074036
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】本発明の課題は、チップのパッケージ化の前に、ウェハまたはチップ全体に蛍光体構造体が形成され、チップを覆う蛍光体の厚さの不均一性によって生じる色の変化を防止することができる半導体発光装置およびその製作方法を提供することである。【解決手段】半導体発光装置は、不透光性基板と、接合構造体と、半導体発光スタックと、該半導体発光スタックを覆うように設置された蛍光体構造体とを有する。半導体発光スタックは、成長基板から分離され、接合構造体を介して不透光性基板に接合される。半導体発光装置を製作する方法は、半導体発光スタックを成長基板から分離するステップと、半導体発光スタックを不透光性基板に接合するステップと、半導体発光スタックを覆うように蛍光体構造体を形成するステップとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不透光性基板、接合構造体、一次光を放射する半導体発光スタックであって、成長基板から分離され、前記接合構造体を介して前記不透光性基板に接合された半導体発光スタック、および前記半導体発光スタックを被覆するように設置された蛍光体構造体であって、前記一次光を吸収して変換光を放射する蛍光体を有し、実質的に前記半導体発光スタックの輪郭に合わせるように設置された蛍光体構造体、を有する半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (10件)：

5F041AA11 , 5F041DA12 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA32 , 5F041DA33 , 5F041DA36 , 5F041DA74 , 5F041EE25 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,642,652号明細書

審査官引用 (12件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-331250 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭61-073100
接着層を有する発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-197103 出願人：晶元光電股ふん有限公司

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