ナノインプリントにおける離型処理方法およびナノパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：細見吉生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-206684
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045092
出願日： 2008年08月11日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】モールドに対する離型処理を必要とせずにナノインプリントリソグラフィーを行う手法を提供する。【解決手段】モールドが有するナノ構造パターンをレジストに転写すべくレジスト上にモールドを押し付けるにあたり、モールドが押し付けられる前のレジスト上に離型剤を塗布する。その塗布は、スピンコートによって基板上にレジストの薄膜を形成する間に、当該レジストの表面に離型剤を噴霧するのが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

モールドが有するナノ構造パターンをレジストに転写すべくレジスト上にモールドを押し付けるにあたり、モールドが押し付けられる前のレジスト上に離型剤を塗布することを特徴とするナノインプリントにおける離型処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , B29C 59/02 , B29C 33/58

FI (4件)：

H01L21/30 502D , H01L21/30 565 , B29C59/02 Z , B29C33/58

Fターム (27件)：

4F202AF01 , 4F202AG05 , 4F202AJ09 , 4F202AJ11 , 4F202CA19 , 4F202CD23 , 4F202CK43 , 4F202CM46 , 4F202CM47 , 4F202CM82 , 4F202CM83 , 4F209AA43 , 4F209AA44 , 4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC01 , 4F209PC05 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 4F209PQ14 , 5F046AA28 , 5F046JA22

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