特許
J-GLOBAL ID：201003012795596059
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-039372
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199139
出願日： 2009年02月23日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】歩留まりを改善し、安定した品質のレーザ素子を効率的に製造することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、積層半導体を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板上に積層半導体を形成する工程と、前記積層半導体の表面におけるレーザ素子形成領域の共振器方向に、該共振器の端面側から第1領域と、該第1領域よりも深さが深い第2領域と、前記第1領域よりも深さが浅い第3領域と、を順に有する補助溝を形成する工程と、前記補助溝を利用して基板及び積層半導体を分割する工程と、を備える。【選択図】図1-2
請求項（抜粋）：
基板上に、積層半導体を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記基板上に積層半導体を形成する工程と、
前記積層半導体の表面におけるレーザ素子形成領域の共振器方向に、該共振器の端面側から第1領域と、該第1領域よりも深さが深い第2領域と、前記第1領域よりも深さが浅い第3領域と、を順に有する補助溝を形成する工程と、
前記補助溝を利用して基板及び積層半導体を分割する工程と、を備える半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AL03
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP24
, 5F173AP33
, 5F173AP62
, 5F173AP83
, 5F173AP93
, 5F173AQ04
, 5F173AQ10
, 5F173AR91
, 5F173AR99
