特許
J-GLOBAL ID：200903040740228819
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357518
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165407
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 リーク電流や、COD、窒化物半導体基板さらにはその上に積層された窒化物半導体層の反り及びレーザ光のFFPのリップルの発生を抑制し、劈開性に優れた構造を有する窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】窒化物半導体基板上にn型半導体層、活性層、p型半導体層が積層されてなる半導体層を有し、半導体層にストライプ状の導波路領域と、導波路領域の長さ方向に対して垂直な端面に共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、窒化物半導体基板は、高転位密度領域と、それよりも転位密度が低い低転位密度領域と、低転位密度領域中に高ルミネッセンス領域とを有し、窒化物半導体層は、高転位密度領域の上部の端面から離間する領域に凹部を有し、凹部の底面は、活性層、n型半導体層、窒化物半導体基板のいずれかが露出されてなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板上にn型半導体層、活性層、p型半導体層が積層されてなる半導体層を有し、
該半導体層にストライプ状の導波路領域と、該導波路領域の長さ方向に対して垂直な端面に共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板は、高転位密度領域と、それよりも転位密度が低い低転位密度領域と、該低転位密度領域中に高ルミネッセンス領域とを有し、
前記窒化物半導体層は、高転位密度領域の上部の前記端面から離間する領域に凹部を有し、
該凹部の底面は、活性層、n型半導体層、窒化物半導体基板のいずれかが、露出されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F173AA05
, 5F173AF03
, 5F173AF25
, 5F173AF32
, 5F173AF52
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP07
, 5F173AP33
, 5F173AP82
, 5F173AP92
, 5F173AR24
, 5F173AR52
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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