特許

J-GLOBAL ID：201003012865712540

ジチオレン遷移金属錯体およびセレニウム類似化合物のドーパントとしての使用

発明者： ザイカ,オラフ ,  ヴェルナー,アンスガー ,  ハルトマン,ホルスト ,  ヴィルマン,シュテフェン
出願人/特許権者： ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-536603
公開番号（公開出願番号）：特表2010-510645
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

本発明は、ジチオール遷移金属錯体、およびセレニウムに類似したこの化合物における、有機半導体マトリクス材料をドーピングするためのドーパントとしての使用に関する。

請求項（抜粋）：

電子部品またはオプトエレクトロニクス部品における、有機半導体マトリクス材料のドーピングのためのドーパント、電荷注入層、電極材料、マトリクス材料自体または蓄積材料としての、ジチオレン遷移金属錯体およびセレニウム類似化合物の使用であって、 上記遷移金属錯体が下記式

IPC (5件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L29/28 220A ,  H01L31/04 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/91 G

Fターム (14件)：

3K107AA01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107DD71 ,  3K107DD73 ,  3K107DD78 ,  3K107DD80 ,  3K107FF14 ,  5F051AA11 ,  5F051AA16 ,  5F051CB14 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 液晶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358669   出願人：キヤノン株式会社