特許

J-GLOBAL ID：201003013920101560

シリコン膜用CMPスラリー

発明者： 中川 宏 ,  芦沢 寅之助 ,  成田 武憲 ,  西山 雅也
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-216537
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056127
出願日： 2008年08月26日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのCMPを1種類のスラリーで実施することができるシリコン膜用CMPスラリーを提供する。【解決手段】水と、pH6.0〜8.0の領域において砥粒表面のゼータ電位がマイナスである砥粒と、pH6.0〜8.0の領域におけるシリコン膜表面のゼータ電位の符号をマイナスからプラスに逆転させ、シリコン酸化膜、砥粒及びシリコン窒化膜表面のゼータ電位の符号は同一のまま維持しうるカチオン性界面活性剤とを含有し、pHが6.0〜8.0の範囲であるシリコン膜用CMPスラリー。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

水と、pH6.0〜8.0の領域において砥粒表面のゼータ電位がマイナスである砥粒と、pH6.0〜8.0の領域におけるシリコン膜表面のゼータ電位の符号をマイナスからプラスに逆転させ、シリコン酸化膜、砥粒及びシリコン窒化膜表面のゼータ電位の符号は同一のまま維持しうるカチオン性界面活性剤とを含有し、pHが6.0〜8.0の範囲であるシリコン膜用CMPスラリー。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550C

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB04 ,  3C058CB07 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許出願公開第2006/0105569号明細書
  
• 化学機械的研磨液及び化学機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-390104   出願人：三星電子株式会社
• 特許第3457144号公報
  
• 特許第3190742号公報