特許
J-GLOBAL ID：201003014952488101

金属-半導体-金属型受光素子

発明者：
高梨 良文

高梨 良文 について

, 
田口 博久

田口 博久 について


出願人/特許権者：
学校法人東京理科大学

学校法人東京理科大学 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-189316
公開番号（公開出願番号）：特開2010-027938
出願日： 2008年07月23日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】信号光の照射を止めた後も光吸収層に残り高速化を阻害する正孔を瞬時に消滅させることができる光吸収層を備えた超高速応答が可能なMSM型受光素子を提供する。【解決手段】光を吸収し電子-正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属-半導体-金属(Metal-Semiconductor-Metal:MSM)型受光素子であって、光吸収層がInAs層又はInSb層を含む。InAs層又はInSb層の好ましい厚みは3nmから10nmである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光を吸収し電子-正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属-半導体-金属(Metal-Semiconductor-Metal:MSM)型受光素子であって、 前記光吸収層がInAs層又はInSb層を含むことを特徴とするMSM型受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/108
FI (1件)：
H01L31/10 C
Fターム (7件)：
5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049SE11 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (2件)

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