特許
J-GLOBAL ID：201003015362480098
受光デバイス及びその制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-116682
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267720
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】外光による画素蓄積領域の飽和を防止し信号光のみ分離抽出できるようにすることで、信号光に対するダイナミックレンジを向上させる受光デバイス及びその制御方法を提供し、特殊プロセスを用いず安価で構造が単純な受光デバイスを提供する。【解決手段】ウェル領域203の表面に電子保持領域204を有し、電子保持領域204に2つの独立した等価な第1、第2正孔保持領域205、206を備える。第1、第2正孔保持領域205、206上に絶縁層215を介して第1、第2制御電極207、208を有し、光に応じてウェル領域203に発生した電子正孔対を、第1、第2制御電極207、208の電圧操作によって、電子保持領域204及び第1、第2正孔保持領域205、206に電子及び正孔を分離し保持させる。第1、第2制御電極207、208に印加する電圧を反転させて電子と正孔を再結合し、残存する電子を信号光の受光出力として取り出す。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
導電型の半導体基板表面に形成された導電型の素子形成領域と、
前記素子形成領域の表面に設けられた逆導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域の表面に設けられ、前記ウェル領域内に発生した電子又は正孔を保持する逆導電型の電荷保持領域と、
前記電荷保持領域内の表面に設けられ、電子又は正孔を保持する導電型の第1電荷保持領域と、
前記第1電荷保持領域とは別に、前記電荷保持領域内の表面に設けられ、電子又は正孔を保持する導電型の第2電荷保持領域と、
前記素子形成領域の表面に設けられ、電子又は正孔を蓄積する、少なくとも1つ以上の逆導電型の電荷蓄積領域と、
前記素子形成領域の表面に設けられ、電子又は正孔の排出に用いられる、少なくとも1つ以上の逆導電型の電荷排出領域と、
前記第1電荷保持領域における電子又は正孔の保持を制御するために、前記第1電荷保持領域上に光を透過可能な絶縁膜を介して設けられた光を透過可能な第1制御電極と、
前記第2電荷保持領域における電子又は正孔の保持を制御するために、前記第2電荷保持領域上に光を透過可能な絶縁膜を介して設けられた光を透過可能な第2制御電極と、
前記ウェル領域と電荷蓄積領域とにわたって設けられ、前記両領域間の電子又は正孔の通過を制御する少なくとも1つ以上の電荷転送電極と、
前記ウェル領域と電荷排出領域とにわたって設けられ、前記両領域間の電子又は正孔の通過を制御する電荷排出電極と、
前記電荷蓄積領域と電荷排出領域とにわたって設けられ、前記両領域間の電子又は正孔の通過を制御する電荷リセット電極と、
を備えたことを特徴とする受光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, G01S 17/89
, H04N 5/335
H01L27/14 A
, G01S17/89
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA23
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 4M118FA34
, 5C024CX43
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5J084AA05
, 5J084AD03
, 5J084BA34
, 5J084BA37
, 5J084BA40
, 5J084CA67
, 5J084EA02
, 5J084EA31
