特許
J-GLOBAL ID：201003015740425270

六方晶窒化ホウ素の製造方法

発明者：
松本 一昭

松本 一昭 について

, 
吉原 秀輔

吉原 秀輔 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-200693
公開番号（公開出願番号）：特開2010-037123
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末を、これまでに知られている方法と比べ、より経済性に優れた方法で製造する。【解決手段】ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300°C以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させた後に、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理し、平均粒径が10μm以上に結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させた後再加熱する前の状態における、粗製六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が2.5以上かつ数平均粒子径が9μm以下であり、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理した後の高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が1.9以下かつ数平均粒子径が10μm以上であることが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300°C以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させた後に、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理し結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 21/064
FI (2件)：
C01B21/064 M ,  C01B21/064 H
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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