特許
J-GLOBAL ID：201003015874191748

スピン転移トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおける読出し及び書込みのためのワードライン・トランジスタ強度制御

発明者：
ヨン、セイ・スン

ヨン、セイ・スン について

, 
カン、スン・エイチ.

カン、スン・エイチ. について

, 
サニ、メーディ・ハミディ

サニ、メーディ・ハミディ について


出願人/特許権者：
クゥアルコム・インコーポレイテッド

クゥアルコム・インコーポレイテッド について


代理人 (20件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-552895
公開番号（公開出願番号）：特表2010-520576
出願日： 2008年03月06日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
スピン転移トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおいてワードライン・トランジスタにおけるワードライン電圧を制御するためのシステム、回路及び方法が開示される。書込み動作のためにワードライン・トランジスタに第1の電圧が供給されうる。読出し動作のためにワードライン・トランジスタに第1の電圧より小さい第2の電圧が供給されうる。
請求項（抜粋）：
磁性トンネル接合(MTJ)及びワードライン・トランジスタを有するビットセル、ここにおいて前記ビットセルはビットライン及びソースラインに結合される、 及び前記ワードライン・トランジスタに結合されたワードライン・ドライバ、ここにおいて前記ワードライン・ドライバは書込み動作のための第1の電圧及び読出し動作時の第2の電圧を供給するように構成され、かつここにおいて前記第1の電圧は前記第2の電圧より高い、 を備えたスピン転移トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C11/15 140 ,  G11C11/15 150 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (13件)：
4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119HH02 ,  4M119HH05 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092DA04 ,  5F092DA07
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-320905   出願人：シャープ株式会社
  • 相変化メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-193174   出願人：三星電子株式会社
  • 磁気メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-188498   出願人：TDK株式会社

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