特許
J-GLOBAL ID：201003015983532881
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309311
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135527
出願日： 2008年12月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】多値記録が可能なメモリセルを備えた半導体記憶装置の性能を向上させる。【解決手段】シリコン基板1上に配置された複数のメモリセルmc1を有する半導体記憶装置であって、個々のメモリセルmc1は直列に接続された選択素子D1と複数の記憶素子RM1,RM2,RM3を有し、個々の記憶素子RM1,RM2,RM3は、ジュール熱によって抵抗値が変化する機能を有する抵抗変化層rvとその上面と下面とにそれぞれ配置された電極E1,E2,E3とを有する。それぞれのメモリセルmc1のうち、異なる記憶素子RM1,RM2,RM3を構成する抵抗変化層rvは同じ材料からなり、異なる記憶素子RM1,RM2,RM3を構成する電極E1,E2,E3はそれぞれ異なる導体材料からなっている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配置された複数のメモリセルを有する半導体記憶装置であって、
個々の前記メモリセルは、選択素子と、複数の記憶素子とを有し、
前記選択素子および前記複数の記憶素子は、前記半導体基板上に積層されるように、かつ、電気的に直列に接続されるようにして配置され、
個々の前記記憶素子は、抵抗変化層と、その上面と下面とにそれぞれ配置された電極とを有し、
前記抵抗変化層は、ジュール熱によって抵抗値が変化する機能を有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれを構成する前記複数の記憶素子のうち、
異なる前記記憶素子を構成する前記抵抗変化層は、それぞれ同じ材料からなり、
同一の前記記憶素子を構成する前記電極は、それぞれ同じ導体材料からなり、
異なる前記記憶素子を構成する前記電極は、それぞれ異なる導体材料からなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L27/10 451
, H01L45/00 A
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR40
, 5F083ZA21
