特許
J-GLOBAL ID：201003016799072173
半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 孝久
, 吉井 正明
, 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-093683
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245365
出願日： 2009年04月08日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】半導体発光素子を構成する発光素子部が形成された発光素子製造用基板を他の基板に貼り合わせたとき、発光素子部に応力が生じ難い半導体発光素子組立体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子組立体の製造方法は、(A)積層構造体10B及び第2電極15を有する複数の発光素子部10Aを設けた後、(B)各発光素子部の第2電極15の頂面中央部が露出した開口部17Aを有する絶縁層17を全面に形成し、その後、(C)各発光素子部に、開口部17Aの底部に露出した第2電極15の頂面上から絶縁層17上に亙りパターニングされた取出し電極16を設け、次いで、(D)全面を覆う接着層18を形成した後、該接着層18を用いて支持基板20を接着する各工程を具備し、工程(D)において、取出し電極16の一部分が露出した接着層18を、取出し電極16上に、直接、形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)発光素子製造用基板上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、第2化合物半導体層の上に設けられた第2電極を有し、相互に分離された複数の発光素子部を設けた後、
(B)各発光素子部の第2電極の頂面中央部が露出した開口部を有する絶縁層を全面に形成し、その後、
(C)各発光素子部に、開口部の底部に露出した第2電極の頂面上から絶縁層上に亙りパターニングされた取出し電極を設け、次いで、
(D)全面を覆う接着層を形成した後、該接着層を用いて支持基板を接着する、
各工程を具備し、
前記工程(D)において、取出し電極の一部分が露出した接着層を、取出し電極上に、直接、形成する半導体発光素子組立体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 400
, G09F9/33 Z
5C094AA36
, 5C094BA23
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FA04
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094FB20
, 5C094GB10
, 5C094JA08
, 5F041DA13
, 5F041DA20
, 5F041DB08
, 5F041FF06
