特許
J-GLOBAL ID：200903063632629114

半導体薄膜の表面処理方法、及び半導体素子の分離方法

発明者：
渡辺 秋彦

渡辺 秋彦 について

, 
鈴木 淳

鈴木 淳 について

, 
土居 正人

土居 正人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-270700
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086388
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 レーザー光を利用した基板と窒化物半導体層の剥離を図ると共に、その剥離時に発生する損傷層の効果的な除去を実現する。 【解決手段】半導体薄膜の表面処理を行う際に、基体上に半導体薄膜を形成した後、レーザーアブレーションなどを用いて半導体薄膜を基体から剥離し、その半導体薄膜をケミカルメカニカルポリッシング法により研磨することで半導体薄膜の平滑化及び前記半導体薄膜に含まれる損傷部の除去を行う。ケミカルメカニカルポリッシング法を用いることで微小なマイクロクラック層を発生させることなく研磨をすることができる。 【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基体上に半導体薄膜を形成する工程と、 前記半導体薄膜をケミカルメカニカルポリッシング法により研磨し、前記半導体薄膜の平滑化及び前記半導体薄膜に含まれる損傷部の除去を行う工程と を有することを特徴とする半導体薄膜の表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622P ,  H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA99
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM