酸化亜鉛単結晶層の成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 高野信司 , 永岡重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-236924
公開番号（公開出願番号）：特開2010-070398
出願日： 2008年09月16日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。【解決手段】MOCVD法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が250°Cから450°Cの範囲内で、かつ、成長圧力が1kPaから30kPaの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板10に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層11を成長させる。ZnO結晶層11の成長後、ZnO結晶層11の結晶性および平坦性の向上を目的として、ZnO結晶層11を1kPaから30kPaの圧力下で、700°Cから1100°Cの温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長(MOCVD)装置を用い、MOCVD法により基板上に酸化亜鉛層を結晶成長する方法であって、成長温度が250°Cから450°Cの範囲内で、かつ、成長圧力が1kPaから30kPaの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを前記基板に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層を成長させる工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (8件)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 41/18 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , C23C 16/40 , C30B 25/14 , H01L 33/28

FI (9件)：

C30B29/16 , H01L21/365 , H01L41/18 101A , H01L41/18 101B , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , C23C16/40 , C30B25/14 , H01L33/00 D

Fターム (67件)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DB08 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EH01 , 4G077FE02 , 4G077FE03 , 4G077FE11 , 4G077HA02 , 4G077HA11 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TC10 , 4G077TJ02 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA01 , 4K030AA11 , 4K030BA21 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA63 , 5F045DA64 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EB15 , 5F045EE03 , 5F045EF05 , 5F045EK07

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第3424814号公報
化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-154904 出願人：信越半導体株式会社
特許第3859148号公報

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