特許
J-GLOBAL ID:201003018026051390

光半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-043727
公開番号(公開出願番号):特開2010-232644
出願日: 2010年03月01日
公開日(公表日): 2010年10月14日
要約:
【課題】 コントラストの高い光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の光半導体装置の製造方法は、支持基板上に、互いに離間する導電部材を複数形成する第1の工程と、光半導体素子を載置可能な複数の凹部と、隣接する凹部の間に溝と、を有する第1の樹脂からなる基体を形成する第2の工程と、溝内に、第1の樹脂よりも光吸収係数の大きい第2の樹脂を充填する第3の工程と、支持基板を除去後、前記第2の樹脂を含む領域を切断して光半導体装置を個片化する第4の工程と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1E
請求項(抜粋):
支持基板上に、互いに離間する導電部材を複数形成する第1の工程と、 光半導体素子を載置可能な複数の凹部と、隣接する凹部の間に溝と、を有する第1の樹脂からなる基体を形成する第2の工程と、 前記溝内に、前記第1の樹脂よりも光吸収係数の大きい第2の樹脂を充填する第3の工程と、 前記支持基板を除去後、前記第2の樹脂を含む領域を切断して光半導体装置を個片化する第4の工程と、 を有する光半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 33/48
FI (1件):
H01L33/00 400
Fターム (9件):
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA74 ,  5F041DB09
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る