特許
J-GLOBAL ID：201003018645209861
シリコンウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-276100
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103450
出願日： 2008年10月27日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】研磨に起因したシリコンウェーハの表面の局所的な凹凸欠陥を縮小または消滅でき、これによりデバイスの歩留まりを高めることが可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハの表面を研磨後、ウェーハ表層のみを高エネルギ光の照射により溶融させる。これにより、研磨に起因して発生したシリコンウェーハの表面の局所的な凹凸欠陥を縮小または消滅させることができる。その結果、デバイスの歩留まりを高めることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面が研磨されたシリコンウェーハの表層のみを、高エネルギ光の照射により溶融させ、前記研磨に起因した前記シリコンウェーハの表面の局所的な凹凸欠陥を縮小または消滅させるシリコンウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/304
, B23K 26/00
, H01L 21/26
H01L21/268 F
, H01L21/304 622P
, B23K26/00 E
, B23K26/00 H
, H01L21/26 F
4E068AH01
, 4E068CA01
, 4E068CE03
, 4E068DA10
