特許
J-GLOBAL ID：201003018768441904

低温でプラズマ励起原子膜の成膜によりシリコン酸化膜を成膜する方法

発明者：
岡 隆洋

岡 隆洋 について

, 
清水 亮

清水 亮 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (2件)： 堀 明▲ひこ▼ ,  井上 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-058415
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245518
出願日： 2010年03月15日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】PEALDにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。【解決手段】PEALDにより、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法が、レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をPEALDリアクターに与える工程と、基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として50°C未満に制御する工程と、成膜温度を50°C未満の一定の温度に実質的に又はほぼ維持しながら、PEALDリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入して、レジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、実質的に又はほぼ一定の温度で成膜サイクルを複数回繰り返す工程とを含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
プラズマ励起原子膜の成膜(PEALD)により、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法であって、 レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をPEALDリアクターに与えられる工程と、 前記基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として50°C未満に制御する工程と、 前記成膜温度を50°C未満の一定の温度に維持しながら、PEALDリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入し、これによりレジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、 前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、一定の温度でサイクルを複数回繰り返す工程と、 を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 C ,  C23C16/42
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA11 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD04 ,  5F045BB07 ,  5F045EE19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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