パターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-215391
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113345
出願日： 2009年09月17日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【解決手段】ポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像し、第1のレジストパターンを形成し、その上に少なくとも一つのアミノ基を有すると共に加水分解反応基をもつ珪素化合物を含む保護膜溶液を塗布し、加熱によって第1のレジストパターン表面を該保護膜で覆い、その上に第2のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第2のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第2のレジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて第2のレジスト膜を現像する工程を有するパターン形成方法。【効果】本発明によれば、例えば第1のパターンのスペース部分に第2のパターンを形成することによってパターンとパターンのピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像し、第1のレジストパターンを形成し、その上に少なくとも一つのアミノ基を有すると共に加水分解反応基をもつ珪素化合物を含む保護膜溶液を塗布し、加熱によって第1のレジストパターン表面を該保護膜で覆い、その上に第2のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第2のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第2のレジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて第2のレジスト膜を現像する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 , G03F 7/38 , G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/40 511 , G03F7/40 502 , G03F7/38 501 , G03F7/11 503 , H01L21/30 502C

Fターム (47件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA05 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096HA02 , 2H096HA05 , 2H125AF17P , 2H125AF29P , 2H125AF38P , 2H125AF70P , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH25 , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ42Y , 2H125AJ63X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ69Y , 2H125AJ70X , 2H125AM22N , 2H125AM94N , 2H125AM99N , 2H125AN11N , 2H125AN31N , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125AN88P , 2H125BA01N , 2H125BA01P , 2H125BA24P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125DA02 , 2H125FA03 , 2H125FA18 , 5F046AA13 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

パターン形成方法及びパターン形成材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-372970 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-208919 出願人：東京応化工業株式会社
微細パターンの形成方法、パターン保護材料と半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-034647 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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