Pd-Cr-W系スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松山圭佑 , 高矢諭 , 牧野剛博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-259086
公開番号（公開出願番号）：特開2010-090412
出願日： 2008年10月03日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】Pd、Cr、Wを主要成分として含有するPd-Cr-W系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、CrおよびWのうちの少なくとも1種を含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなる合金マトリックス中に、Cr相およびW相のうちの少なくとも1種の相が分散した構造とし、前記ターゲット全体に対するCrの含有量が5〜50at%、Wの含有量が5〜40at%となるようにする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Pd、Cr、Wを主要成分として含有するPd-Cr-W系スパッタリングターゲットであって、 CrおよびWのうちの少なくとも1種を含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなる合金マトリックス中に、Cr相およびW相のうちの少なくとも1種の相が分散した構造を有し、前記ターゲット全体に対するCrの含有量が5〜50at%、Wの含有量が5〜40at%であることを特徴とするPd-Cr-W系スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C22C 5/04 , C22C 1/04

FI (3件)：

C23C14/34 A , C22C5/04 , C22C1/04 E

Fターム (13件)：

4K018AA02 , 4K018BA01 , 4K018BA09 , 4K018BA20 , 4K018BB04 , 4K018BD09 , 4K018EA01 , 4K018EA11 , 4K018EA60 , 4K018KA29 , 4K029BD11 , 4K029DC04 , 4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (1件)

スパッタリング用ルテニウムターゲット及びスパッタリング用ルテニウムターゲットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-345663 出願人：田中貴金属工業株式会社

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