磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：綿貫隆夫 , 堀米和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-195976
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034368
出願日： 2008年07月30日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁化自由層28と、磁化固定層26と、前記磁化自由層28と前記磁化固定層26との間に配置されたバリア層27とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層27として、MgO層/Mg層/ZnO層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化自由層と、磁化固定層と、前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に配置されたバリア層とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層として、MgO層/Mg層/ZnO層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 43/10 , H01L 43/12 , G11B 5/39

FI (3件)：

H01L43/10 , H01L43/12 , G11B5/39

Fターム (32件)：

5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034CA04 , 5D034DA07 , 5F092AA02 , 5F092AA10 , 5F092AB03 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE27 , 5F092CA23 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (5件)

US 7,252,852 B1
US 7,270,896 B2
US 7,300,711 B2

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