特許

J-GLOBAL ID：201003023185311534

パターン形成方法

発明者： 殿川 浩 ,  小川 政章
出願人/特許権者： 次世代半導体材料技術研究組合
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067942
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225616
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】誘電率の大幅な増大や絶縁性の大幅な劣化が引き起こされること無く、レジストのLERが抑制され、正確な微細加工が可能になる技術を提供することである。【解決手段】露光・現像後にポストベークしてレジストを所定パターンに加工するパターン形成方法において、 前記ポストベークは、第1のポストベークと、この第1のポストベークの後に行われる第2のポストベークとを具備し、 前記第2のポストベークの温度は前記第1のポストベークの温度よりも高い。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

露光・現像後にポストベークしてレジストを所定パターンに加工するパターン形成方法において、 前記ポストベークは、第1のポストベークと、この第1のポストベークの後に行われる第2のポストベークとを具備し、 前記第2のポストベークの温度は前記第1のポストベークの温度よりも高い ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40

FI (2件)：

H01L21/30 571 ,  G03F7/40 501

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096JA04 ,  5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 高分子材料層の加熱方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141764   出願人：リコー光学株式会社
• 特開昭61-271834
  
• 特開昭64-082629
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065912   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-271834
  
• 特開昭64-082629