特許

J-GLOBAL ID：201003023528764670

3族窒化物単結晶体の製造方法

発明者： 井上 真司
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219362
公開番号（公開出願番号）：特開2010-052978
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】3族窒化物単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることなく、高品質な状態で単結晶体の成長を連続的に行うことができる窒化物体の製造方法を提供する。【解決手段】気相成長法によって3族窒化物単結晶体3bを種基板3aに連続的に成長させて単結晶体3bをバルク状に作製する3族窒化物単結晶体の製造方法であって、結晶成長のために外部から印加する制御温度を、成長させる単結晶体3bの厚みの増加に応じて上昇させる。なお、気相成長法はハイドライド気相成長法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

気相成長法によって3族窒化物単結晶体を種基板に連続的に成長させて単結晶体をバルク状に作製する3族窒化物単結晶体の製造方法であって、 結晶成長のために外部から印加する制御温度を、成長させる前記単結晶体の厚みの増加に応じて上昇させる、3族窒化物単結晶体の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/16

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/16

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC06 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171276   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物結晶の成長方法、III族窒化物結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-149690   出願人：住友電気工業株式会社