特許

J-GLOBAL ID：200903046616109699

III族窒化物結晶の成長方法、III族窒化物結晶基板および半導体デバイス

発明者： 藤原 伸介 ,  宮永 倫正 ,  嶋津 充
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-149690
公開番号（公開出願番号）：特開2006-016294
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいIII族窒化物結晶の成長方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】 昇華法により成長させたAlN種結晶1を用いて、HVPE法によりIII族窒化物結晶2を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法。ここで、上記成長方法により得られたIII族窒化物結晶の一部を種結晶として用いて、HVPE法によりIII族窒化物結晶を成長させることもできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

昇華法により成長させたAlN種結晶を用いて、HVPE法によりIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/18

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  C30B25/18

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK13 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体素子及びそれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-333613   出願人：日亜化学工業株式会社
• 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-068361   出願人：財団法人理工学振興会
• オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-505658   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Report on the growth of bulk aluminum nitride and subsequent substrate preparation
• X-ray characterization of bulk AIN single crystals grown by the sublimation technique
• Bulk AlN crystal growth by direct heating of the source using microwaves