特許

J-GLOBAL ID：201003023737767155

酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 若菜 裕紀 ,  内山 博幸 ,  河村 哲史 ,  斎藤 慎一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-033577
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192560
出願日： 2009年02月17日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】ゲート電極とソース・ドレイン電極の合わせ精度がよく、安価に透明デバイスを実現できる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】パターニングされた遮光膜102を基板101裏面側に形成し、基板表面側に形成されるゲート電極103およびソース・ドレイン電極108のパターン形成用のフォトマスクとして共用することにより、フォトマスク数が低減されると共に、ゲート電極とソース・ドレイン電極の位置合わせが自己整合的に行われるため互いの合わせ精度が向上する。これにより、高精度で低コストな電界効果トランジスタの製造方法が提供できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

透光性材料からなる基板裏面に下部電極用マスクパターンを遮光膜で形成する工程と、前記遮光膜をマスクとして用いて、少なくとも2回基板裏面からの露光によるフォトリソグラフィー工程と、透明材料からなる下部電極と上部電極の位置合わせを自己整合的に行う工程とを有することを特徴とする酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J

Fターム (35件)：

5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-132367
  
• 特開平1-072163
  
• 薄膜構造製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028051   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン