特許
J-GLOBAL ID：201003023854270482

大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス

発明者：
ヴァウド,ロバート,ピー.

ヴァウド,ロバート,ピー. について

, 
スー,シュエピン

スー,シュエピン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-118675
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215506
出願日： 2010年05月24日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。【解決手段】15cmを超える大面積と、少なくとも1mmの厚さと、5E5cm-2を超えない平均転位密度と、25%未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶III-V族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、(I)たとえばIII-V族窒化物材料の成長表面の少なくとも50%にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、III-V族窒化物材料を基板上に成長させる第1段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも102ピット/cm2である段階と、(II)ピット充填条件下でIII-V族窒化物材料を成長させる第2段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
自身の少なくとも1つの表面が均一な低転位密度である、大面積単結晶III-V族窒化物材料。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C30B33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L31/10 A
Fターム (76件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DA18 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC03 ,  4G077TC04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC10 ,  4G077TC19 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA03 ,  5F049SS01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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