特許

J-GLOBAL ID：201003023879254740

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

発明者： 森 貴敬
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-058736
公開番号（公開出願番号）：特開2010-211072
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】レジストパターン形成時においてスカムが発生せず、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分(A)は、カルボキシル基を含有する構成単位、環骨格中に-SO2-を含む環式基を含む構成単位、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物(A1)を含有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)、下記一般式(a5-1)で表される構成単位(a5)、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/38

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/38

Fターム (29件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025BE00 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA40Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC02R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC84Q ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-014711   出願人：東京応化工業株式会社
• 感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-156962   出願人：株式会社東芝