特許
J-GLOBAL ID：201003024115959550

熱処理装置及び熱処理方法

発明者：
井上 久司

井上 久司 について

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遠藤 篤史

遠藤 篤史 について

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潮永 圭史

潮永 圭史 について

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菱屋 晋吾

菱屋 晋吾 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-124651
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239142
出願日： 2010年05月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多数の基板を並列に保持した基板保持具を先端面が外側に湾曲している反応管内に一端側の開口部から搬入し、前記反応管内を減圧した後に処理ガスを供給して、加熱雰囲気下において前記基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、 前記反応管内の前記基板が保持される処理領域に対して処理ガスを供給するために、前記反応管の先端面に形成されたガス供給口と、 前記反応管内を下方側から真空排気するための真空排気手段と、 前記反応管を囲むように設けられた加熱手段と、 前記反応管の先端面と基板保持具の収納領域との間の空間に設けられ、前記空間を埋めるための構造体と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 511Q
Fターム (24件)：
5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC01 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ08 ,  5F045EK21 ,  5F045EK30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 特開平4-068522
  • 熱処理装置と熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349893   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • ウェーハの熱処理炉
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-314418   出願人：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所

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