特許
J-GLOBAL ID：201003024212191305
シリコンウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-256810
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087375
出願日： 2008年10月01日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】デバイスが形成される表層のGrown-in欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをウェーハ加工して得られたシリコンウェーハの表層にレーザ光やランプ光などの高エネルギ光を照射し、この表層のみを溶融(溶融工程)させる。その結果、シリコンウェーハの表層に存在する結晶引上げに起因したGrown-in欠陥を消滅させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをウェーハ加工することで得られたシリコンウェーハの表層のみを、高エネルギ光の照射により溶融させ、結晶引上げに起因したGrown-in欠陥を消滅させるシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, C30B 29/06
, C30B 33/02
H01L21/268 F
, C30B29/06 B
, C30B33/02
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE16
, 4G077FG11
, 4G077HA12
