特許
J-GLOBAL ID:201003024450571922

荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大阿久 敦子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-033066
公開番号(公開出願番号):特開2010-192538
出願日: 2009年02月16日
公開日(公表日): 2010年09月02日
要約:
【課題】測定エラーが生じた場合であってもマップを作成し、その結果を基に荷電粒子ビームを試料の表面に正確に収束させることが可能な荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】マスク表面の高さを測定し、この測定で生じた測定エラーの数を求め、測定エラーの数が所定値より少ない場合にはマスク表面の近似曲面を作成する。次いで、測定データと、近似曲面から得られる高さデータとを比較し、その差分が所定の閾値を超えている点がなければ、近似曲面の信頼性は高いと判断する。そして、この近似曲面に基づいてマスク表面の高さを補正する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
ステージ上に載置される試料の表面の高さを測定する高さ測定手段と、 前記高さ測定手段で得られたデータから前記表面の近似曲面を作成する近似曲面作成手段と、 前記近似曲面に基づいて前記高さを補正する高さ補正手段とを有することを特徴とする荷電流粒子ビーム描画装置。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01J 37/305
FI (3件):
H01L21/30 541F ,  G03F7/20 521 ,  H01J37/305 B
Fターム (4件):
5C034BB08 ,  5F056AA02 ,  5F056CB29 ,  5F056CB32
引用特許:
審査官引用 (3件)

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