特許
J-GLOBAL ID：201003024494744271
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-058725
公開番号（公開出願番号）：特開2010-211070
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、環骨格中に-SO2-を含む環式基を含む構成単位(a0-1)を有する高分子化合物(A1-1)と、前記高分子化合物(A1-1)が有する構成単位と同一の構成単位(a0-1)を有し、構成単位(a0-1)の含有割合(モル%)が、前記高分子化合物(A1-1)と異なる高分子化合物(A1-2)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)は、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)を有する高分子化合物(A1-1)と、
前記高分子化合物(A1-1)が有する構成単位と同一の構成単位(a0-1)を有し、構成単位(a0-1)の含有割合(モル%)が、前記高分子化合物(A1-1)と異なる高分子化合物(A1-2)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 20/38
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C08F20/38
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100BA03P
, 4J100BA15P
, 4J100BA40P
, 4J100BB18P
, 4J100BC84P
, 4J100JA38
