特許
J-GLOBAL ID：201003024773755011
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-026916
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182985
出願日： 2009年02月09日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】 素子領域の中央部と周辺部にトレンチゲート電極が形成されている半導体装置において、素子領域の熱破壊を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】 IGBT10は、素子領域内に1本のトレンチゲート電極6を有している。トレンチゲート電極6は接続部6aと周辺部6bを備えている。接続部6aは、素子領域の中央部8Aに形成されており、ゲート配線2aを介してゲートパッド4と接続されている。周辺部6bは、素子領域の周辺部8Bに形成されている。トレンチゲート電極6は、ゲートパッド4の周囲を素子領域の外側に向かって渦巻状に伸びている。トレンチゲート電極6の周辺部6bは、トレンチゲート電極6の接続部6aを介してゲートパッド4と導通している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
素子領域内に少なくとも1本のトレンチゲート電極を有している半導体装置であり、
前記トレンチゲート電極が、
素子領域の中央部に形成されており、ゲート信号が入力されるゲート端子が接続されている接続部と、
素子領域の周辺部に形成されており、素子領域の中央部側から外側に向かって伸びている周辺部と、を備えており、
前記周辺部が、前記接続部を介してゲート端子と導通していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652F
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652K
