特許
J-GLOBAL ID：200903029868030686
セルフアラインメントトレンチMOSFET構造及びその製造方法。
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤村 元彦
, 永岡 重幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-552304
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524931
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
トレンチゲート型のFETは以下のように形成される。ウェル領域がシリコン領域内に形成される。複数のアクティブゲートトレンチ及び終端トレンチが当該ウェル領域を複数のアクティブボディ領域及び終端ボディ領域に分割するように当該FETのアクティブ領域及び終端領域各々に同時に形成される。終端ボディ領域及びアクティブボディ領域上にマスクを使用して開口部を形成する。開口部を介してアクティブボディ領域及び終端ボディ領域にドーパントを注入し、各々のアクティブボディ領域及び終端ボディ領域内に第1領域を形成する。すべての第1領域の露出面が陥没せしめられ、傾斜した壁部及び第1領域に突き出た底部を有するボウル状の凹部を形成し、各々のアクティブボディ領域内の第1領域の残余部がソース領域を形成し、それらがアクティブゲートトレンチに対してセルフアラインメントされる。
請求項（抜粋）：
アクティブトランジスタセル群を収容するアクティブ領域及び前記アクティブ領域を囲む終端領域を含む半導体ダイにトレンチゲート型FETを形成する方法であって、
前記アクティブ領域及び前記終端領域内にウェル領域を同時に形成するステップであって、前記ウェル領域を前記ウェル領域と逆の導電タイプのシリコン領域内に形成するステップと、
前記アクティブ領域内に複数のアクティブゲートトレンチを形成すると同時に前記終端領域内に非アクティブゲートトレンチを形成するステップであって、前記複数のアクティブゲートトレンチ及び前記非アクティブ終端トレンチが前記ウェル領域まで伸長しかつ前記ウェル領域を貫通し、それによって前記ウェル領域を前記アクティブ領域内の複数のアクティブボディ領域及び前記終端領域内の終端ボディ領域に分割するステップと、
マスクを用いて前記終端ボディ領域上に開口部を形成しかつ前記アクティブ領域上に開口部を形成するステップと、
前記アクティブ領域上の開口部を介して前記アクティブボディ領域へドーパントを注入しかつ前記終端ボディ領域上の開口部を介して前記終端ボディ領域へドーパント注入して各々のアクティブボディ領域及び前記終端ボディ領域内に第1領域を形成するステップであって、前記第1領域は前記ウェル領域と逆の導電タイプであるステップと、
全ての第1領域の露出した表面をシリコンエッチングを使用して陥没せしめ、傾斜した壁部及び各々の第1領域に突き出た底部を持つボウル状のシリコン凹部を形成するステップであって、各々の第1領域の一部が対応するアクティブボディ領域内に残り、前記アクティブ領域内の前記第1領域の前記残余部分がソース領域を形成し、前記ソース領域が前記アクティブゲートトレンチに対してセルフアラインメントされるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/06
H01L29/78 658A
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652N
