特許

J-GLOBAL ID：201003025110026721

有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の制御方法

発明者： 菅原 正 ,  伊藤 卓郎 ,  松下 未知雄
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 稲葉 滋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-038657
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199099
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。【解決手段】バイアスストレス効果が生じる第1の温度下で、第1の値のゲート電圧を有機電界効果トランジスタに印加してバイアスストレス効果を生じさせるステップと、前記第1の値のゲート電圧を印加した状態で、前記トランジスタをバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却することで、第2の温度以下の温度下において前記第1の値をしきい値電圧とする有機電界効果トランジスタを得るステップと、からなる有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の後天的制御方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バイアスストレス効果が生じる第1の温度下で、第1の値のゲート電圧を有機電界効果トランジスタに印加してバイアスストレス効果を生じさせるステップと、 前記第1の値のゲート電圧を印加した状態で、前記トランジスタをバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却することで、第2の温度以下の温度下において前記第1の値をしきい値電圧とする有機電界効果トランジスタを得るステップと、 からなる有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の後天的制御方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A

Fターム (16件)：

5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04