特許

J-GLOBAL ID：201003025318791014

薄膜キャパシタ

発明者： ジョン ベネキ ,  石井 雅俊 ,  栗原 和明 ,  山中 一典
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-159406
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003758
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が100nm以下のABO3ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム(Sc)を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、 前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が100nm以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、 前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極と、 を含み、 前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム(Sc)を含むことを特徴とする薄膜キャパシタ

IPC (7件)：

H01G 4/33 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01G 4/10

FI (6件)：

H01G4/06 102 ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621B ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/04 C ,  H01G4/10

Fターム (42件)：

5E082AB01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE47 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083HA10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜キャパシタおよびこれを有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-100595   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Unusual thickness dependence of permittivity and elastic strain in Sc modified epitaxial (Ba,Sr)TiO3