特許

J-GLOBAL ID：201003026102061190

シンチレータプレート

発明者： 坂井 美香 ,  永田 康史
出願人/特許権者： コニカミノルタエムジー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-225954
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060414
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】本発明の目的は、鮮鋭性に優れかつ基材との接着性に優れるシンチレータ層を有するシンチレータプレートを提供することにある。【解決手段】基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該基材の該シンチレータ層と接触する接触面の中心線平均粗さ(Ra)が、0.001≦Ra≦0.1μmであり、該接触面の最大粗さ(Rt)と該Raが、5≦Rt/Ra≦150である関係を有することを特徴とするシンチレータプレート。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該基材の該シンチレータ層と接触する接触面の中心線平均粗さ(Ra)が、0.001≦Ra≦0.1μmであり、該接触面の最大粗さ(Rt)と該Raが、5≦Rt/Ra≦150である関係を有することを特徴とするシンチレータプレート。

IPC (3件)：

G21K 4/00 ,  C09K 11/61 ,  C09K 11/00

FI (3件)：

G21K4/00 A ,  C09K11/61 ,  C09K11/00 E

Fターム (17件)：

2G083AA02 ,  2G083AA08 ,  2G083CC03 ,  2G083CC04 ,  2G083DD02 ,  2G083DD12 ,  2G083EE02 ,  2G083EE03 ,  2G083EE07 ,  2G088FF02 ,  2G088GG10 ,  4H001CA02 ,  4H001CA08 ,  4H001CF01 ,  4H001XA53 ,  4H001XA55 ,  4H001YA81

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-215987号公報
  
• 放射線像燐光体又はシンチレータパネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-108591   出願人：アグファ・ゲヴェルト・ナームロゼ・ベンノートチャップ

審査官引用 (3件)

• 放射線像変換パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-071955   出願人：富士写真フイルム株式会社
• シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-124079   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 放射線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-242145   出願人：キヤノン株式会社