特許

J-GLOBAL ID：201003026496817120

銅めっきされた高アスペクト比のビア、及びその製造する方法

発明者： フェントン・アール・マクフィーリー ,  チーチャオ・ヤン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (5件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  間山 進也 ,  坂口 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-268013
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010642
出願日： 2008年10月16日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】 最新のスケーリング技術の要件に適応することができ、適切に機能する実行可能なビアを一貫して生成できる、改善されたビア製造プロセスを提供すること。【解決手段】 改善された高アスペクト比ビア及びそれを形成するための技術が提供される。1つの態様において、銅めっきされた高アスペクト比ビアを製造する方法が提供される。この方法は、以下のステップを含む。誘電体層内に高アスペクト比ビアをエッチングする。高アスペクト比ビア内及び誘電体層の1つ又は複数の表面の上に、拡散バリア領域を堆積させる。拡散バリア層の上に銅層を堆積させる。銅層の上にルテニウム層を堆積させる。高アスペクト比ビアを、ルテニウム層の上にめっきされた銅で充填する。この方法によって形成される銅めっきされた高アスペクト比ビアも提供される。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

銅めっきされた高アスペクト比のビアを製造する方法であって、 誘電体層内に高アスペクト比ビアをエッチングするステップと、 前記高アスペクト比ビア内及び前記誘電体層の1つ又は複数の表面の上に拡散バリア層を堆積させるステップと、 前記拡散バリア層の上に銅層を堆積させるステップと、 前記銅層の上にルテニウム層を堆積させるステップと、 前記高アスペクト比ビアを、前記ルテニウム層の上にめっきされた銅で充填するステップと を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/306 ,  C23C 28/00

FI (4件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/88 R ,  H01L21/302 105A ,  C23C28/00 A

Fターム (51件)：

4K044AA06 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA14 ,  4K044CA18 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6790773号
  
• 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-209944   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-253794   出願人：松下電器産業株式会社
• 特許第6790773号