特許
J-GLOBAL ID：201003028510597956

太陽電池用層状コンタクト構造

発明者：
カディルカール,チャンドラシェクハール,エス

カディルカール,チャンドラシェクハール,エス について

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スリダーラン,スリニバサン

スリダーラン,スリニバサン について

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シーマン,ポール,エス

シーマン,ポール,エス について

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シェイク,アジィーズ,エス

シェイク,アジィーズ,エス について


出願人/特許権者：
フエロ コーポレーション

フエロ コーポレーション について


代理人 (1件)： 岩橋 祐司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-523147
公開番号（公開出願番号）：特表2010-538471
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
半導体装置及び太陽電池コンタクトの処方及び製造方法が開示される。本発明は、シリコンウェハ上にインク組成物をインクジェット印刷する段階を含む、半導体装置もしくは太陽電池コンタクトの製造方法を提供するものであり、前記インク組成物は、通常、高固形分(20から80重量%)のガラスフリット及び好適には銀などの導電性金属を含む。その後、前記ウェハは、焼成され、ガラスフリットが溶融してガラスが形成され、それによって、シリコンへのコンタクト層が形成される。
請求項（抜粋）：
コンタクト層及びバルク層からなる太陽電池コンタクトの製造方法であり、前記方法が、 a.シリコンウェハの反射防止コーティングを有する部分の少なくとも一部の上に、約20重量%から約80重量%の固形分を有する第一インク層をインクジェット印刷する段階であり、前記インクが、平均粒径約3μm未満、且つ、ガラス遷移温度約200°Cから約700°Cのガラスフリットを含むことを特徴とする印刷段階と、 b.前記ウェハを焼成し、ガラスフリットが溶融してガラスが形成され、シリコンへのコンタクト層が形成される段階と からなることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (8件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151HA01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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