太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-324355
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147324
出願日： 2008年12月19日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。【解決手段】太陽電池素子100Aが、n型半導体領域2と、p型半導体層5と、p型電極6と、n型電極9とを備え、p型半導体層5がn型半導体領域2の裏面の一部に隣接形成され、p型電極6が、p型半導体層5を介してn型半導体領域2と対向する位置に形成され、n型電極9が、n型半導体領域2の裏面側において、p型半導体層5の形成されてない領域に隣接形成され、p型半導体層5において、p型の導電型決定元素の濃度がn型半導体領域2の裏面に近いほど小さいようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面と第2の面とを含み、第1の導電型を有する半導体基板と、半導体基板の前記第1の面の第1領域に設けられており、第2の導電型を有するとともに前記第2の導電型に寄与するドーパントの濃度が、前記半導体基板の前記第1の面から遠ざかるに従って大きくなる半導体層と、前記半導体層上に設けられており導電性材料からなる第1電極と、を有することを特徴とする太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 N , H01L31/04 L

Fターム (24件)：

5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA15 , 5F051CB22 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051DA20 , 5F051FA06 , 5F051FA22 , 5F051GA04 , 5F151AA03 , 5F151AA05 , 5F151CA07 , 5F151CA08 , 5F151CA15 , 5F151CB22 , 5F151CB27 , 5F151DA03 , 5F151DA20 , 5F151FA06 , 5F151FA22 , 5F151GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

光起電力素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-332549 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (5件)

全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-171329 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
太陽電池セル
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030068 出願人：トヨタ自動車株式会社
太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-509159 出願人：サンパワーコーポレイション

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