特許
J-GLOBAL ID：201003028779399905

接続路および光通信システムとそれらの製造方法

発明者：
牛田 淳

牛田 淳 について

, 
藤方 潤一

藤方 潤一 について

, 
岡本 大典

岡本 大典 について

, 
馬場 寿夫

馬場 寿夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028858
公開番号（公開出願番号）：特開2010-185966
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：
【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の接続路30は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路30の内部には、第1導電型を呈するようにドープ処理された半導体層8の少なくとも一部と、第2導電型を呈するようにドープ処理された半導体層9の少なくとも一部とが誘電体層11を挟んで重なり合って設けられている。また、第1導電型の半導体層8と、第2導電型の半導体層9と、誘電体層11とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および/または高さが変化している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型を呈するようにドープ処理された半導体層で形成された、光変調器の外部に設けられた光導波路と、光変調器とを接続する接続路であり、 前記接続路の内部には、前記第1導電型の半導体層の少なくとも一部と第2導電型を呈するようにドープ処理された半導体層の少なくとも一部とが誘電体層を挟んで重なり合って設けられ、前記第1導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層と、前記誘電体層とが、前記光変調器から前記光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および/または高さが変化していることを特徴とする、接続路。
IPC (3件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122
FI (3件)：
G02F1/025 ,  G02B6/12 J ,  G02B6/12 A
Fターム (28件)：
2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB03 ,  2H079EB04 ,  2H079EB12 ,  2H079HA15 ,  2H079JA07 ,  2H147AB02 ,  2H147AC02 ,  2H147BA05 ,  2H147BB01 ,  2H147BC03 ,  2H147DA12 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA34A ,  2H147EA36A ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FA27 ,  2H147FC04 ,  2H147GA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM