特許
J-GLOBAL ID：200903095767932525

高速シリコン・ベース電気光学変調器

発明者：
モンゴメリー, ロバート, キース

モンゴメリー, ロバート, キース について

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ギロン, マーガレット

ギロン, マーガレット について

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ゴートスカー, プラカシュ

ゴートスカー, プラカシュ について

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パテル, ヴィプルクマー

パテル, ヴィプルクマー について

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シャスリ, カルペンドゥ

シャスリ, カルペンドゥ について

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パサク, ソハム

パサク, ソハム について

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ヤヌシェフスキ, キャサリン, エー.,

ヤヌシェフスキ, キャサリン, エー., について


出願人/特許権者：
シオプティカル インク.

シオプティカル インク. について


代理人 (8件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-518912
公開番号（公開出願番号）：特表2006-515082
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
シリコン・ベース電気光学変調器は、第2の導電性タイプの本体領域に部分的に重なる第1の導電性タイプのゲート領域を形成することに基づき、比較的薄い誘電層がゲートおよび本体領域の隣接部分間に介在している。変調器はSOIプラットフォームでできていても良く、本体領域はSOI構造の比較的薄いシリコン表面層内に形成されており、ゲート領域はSOI構造に重なる比較的薄いシリコン層でできている。ゲートおよび本体領域内のドープ処理は、誘電体の上下に軽くドープ処理された領域を形成するように制御され、それによってこの動的装置領域を画定する。有利には、光電界は基本的に、この動的装置領域内の自由キャリヤ濃度領域と一致する。変調信号の付加により、したがって、同時に誘電体の両側に自由キャリヤの蓄積、除去、または反転が起こり、それによって高速動作につながる。
請求項（抜粋）：
第1の導電タイプを呈するようにドープ処理された比較的薄いシリコン本体領域と、 第2の導電タイプを呈するようにドープ処理された比較的薄いシリコン・ゲート領域であって、前記シリコン本体領域とシリコン・ゲート領域の間に隣接領域を画定するように、前記シリコン本体領域の上に少なくとも部分的に配置された領域と、 前記シリコン本体領域とシリコン・ゲート領域の間の前記隣接領域内に配置された比較的薄い誘電層であって、介在される比較的薄い誘電層を備える前記シリコン本体およびゲート領域の組合せが電気光学装置の動的領域を画定する比較的薄い誘電層と、 前記シリコン・ゲート領域に結合された第1の電気接触子と、 前記シリコン本体領域に結合された第2の電気接触子であって、第1および第2の接触子に電気信号を加える際に、自由キャリヤが、同時に前記比較的薄い誘電層の両側で前記シリコン本体およびゲート領域内で蓄積、除去、または反転し、それによって前記光信号の光電界が実質的に、前記電気光学装置の動的領域内で前記自由キャリヤ濃度変調領域に重なる第2の接触子とを備えるシリコン・ベース電気光学装置。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ,  G01B 9/02
FI (2件)：
G02F1/025 ,  G01B9/02
Fターム (12件)：
2F064EE04 ,  2F064GG06 ,  2F064GG24 ,  2F064GG51 ,  2F064GG68 ,  2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • "Development of small Silicon modulators in Silicon-On-Insulator (SOI)"
審査官引用 (1件)
  • "Development of small Silicon modulators in Silicon-On-Insulator (SOI)"

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