特許

J-GLOBAL ID：201003028958559508

選択的エッチングおよび二フッ化キセノンの形成

発明者： ディンジュン ウー ,  ユージン ジョセフ カーワキ,ジュニア ,  アヌパマ マリカルジュナン ,  アンドリュー デイビッド ジョンソン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-013751
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177666
出願日： 2010年01月26日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。【解決手段】半導体堆積チャンバーおよび半導体用具、微小電気機械システム(MEMS)における装置、およびイオン注入システムのための洗浄もしくはエッチングにおいて、例えばケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物を、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、TiNi合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス等およびそれらの混合物から、選択的に除去する場合に、Xeをフッ素含有化学物質と反応させてXeF2を形成しエッチング剤として用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第2の材料に対して第1の材料を選択的にエッチングする方法であって、 チャンバー内に第1の材料および第2の材料を含む構造体を供給すること、 キセノン(Xe)、不活性ガスおよびフッ素含有化学物質を含むエッチングガスを該チャンバー中に供給すること、 この構造体を前記の該エッチングガスと接触させ、そして第1の材料を揮発性種へと選択的に転化すること、ならびに この揮発性種を該チャンバーから除去すること、 (ここで、第1の材料は、ケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物からなる群から選ばれ;また第2の材料は二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、TiNi合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス、ホウ素リンケイ酸ガラス、ポリイミド、金、銅、白金、クロム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素およびそれらの混合物からなる群から選ばれる)を含む方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101H

Fターム (11件)：

5F004AA02 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二フッ化キセノンを用いた窒化チタンの選択的エッチング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-314452   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド