金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180043
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021333
出願日： 2008年07月10日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、TFT等の半導体活性層として良好な特性を有する金属酸化物膜を提供する。【解決手段】金属酸化物膜40は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記条件を充足する組成分布を有するアモルファス構造膜である。<基板側の膜面の組成>主成分金属元素がIn及びZnである。CZn(B)/CIn(B)=0.5〜2.0、CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)=0.0〜0.125。<基板側と反対側の膜面の組成>主成分金属元素が、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とである。CZn(T)/CIn(T)=0.5〜2.0、CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)≧0.375。(CZn/CInはZn/Inモル比、CGa+Al/CIn+ZnはGa+Al/In+Znモル比を示す。(B)は基板側の膜面、(T)は基板側と反対側の膜面を示す。)【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に成膜され、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とを含むアモルファス構造の金属酸化物膜において、膜中に水酸基が存在しており、かつ、基板側の膜面の組成及び基板側と反対側の膜面の組成が下記条件を充足する組成分布を有することを特徴とする金属酸化物膜。 <基板側の膜面の組成> 主成分金属元素がIn及びZnである。 CZn(B)/CIn(B)=0.5〜2.0、 CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)=0.0〜0.125。 (上記式中、 CZn(B)/CIn(B)は基板側の膜面におけるZnとInとのモル比、 CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)は基板側の膜面におけるGa及びAlの合計とIn及びZnの合計とのモル比をそれぞれ示す。) <基板側と反対側の膜面の組成> 主成分金属元素が、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とである。 CZn(T)/CIn(T)=0.5〜2.0、 CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)≧0.375。 (上記式中、 CZn(T)/CIn(T)は基板側と反対側の膜面におけるZnとInとのモル比、 CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)は基板側と反対側の膜面におけるGa及びAlの合計とIn及びZnの合計とのモル比をそれぞれ示す。)

IPC (3件)：

H01L 21/368 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/368 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618A

Fターム (43件)：

5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG03 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07

引用特許：

出願人引用 (1件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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