特許

J-GLOBAL ID：201003029568318417

有機EL装置、有機EL装置の製造方法、及び電子機器

発明者： 柳原 弘和
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-264868
公開番号（公開出願番号）：特開2010-097697
出願日： 2008年10月14日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

【課題】容易に且つ低コストで、発光ムラの少ない光共振構造を有する有機EL装置、有機EL装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】有機EL装置2は、第1画素12Rの絶縁層68には、第1有機EL素子6Rの第1電極34が形成されていない領域の少なくとも一部に第1凹部70Rが形成されており、第2画素12Gの絶縁層68には、第2有機EL素子6Gの第1電極34が形成されていない領域の少なくとも一部に、第1凹部70Rとは異なる容量を有する第2凹部70Gが形成されており、第1機能層54Rは、第1凹部70R及び第1有機EL素子6Rの第1電極34上に形成されており、第2機能層54Gは、第2凹部70G及び第2有機EL素子6Gの第1電極34上に形成されており、第1機能層54Rと第2機能層54Gとは、同一材料で略同一体積を有し、且つそれぞれの有機EL素子における第1電極34上において、異なる膜厚を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1画素と、前記第1画素とは異なる色を発光する第2画素と、が配置された基板と、 前記基板上に形成された絶縁層と、 前記第1画素において前記絶縁層上に形成された第1有機EL素子と、 前記第2画素において前記絶縁層上に形成された第2有機EL素子と、 を有し、 前記第1、第2有機EL素子は、それぞれ、 光反射層と、 第1電極と、 少なくとも発光層を含む有機機能層と、 第2電極と、 をこの順に前記絶縁層上に有しており、 前記第1、第2有機EL素子は、前記第2電極と前記光反射層との間で光共振器が構成されており、 前記第1画素の形成領域に位置する前記絶縁層には、前記第1有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に第1凹部が形成されており、 前記第2画素の形成領域に位置する前記絶縁層には、前記第2有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に、前記第1凹部とは異なる容量を有する第2凹部が形成されており、 前記第1有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第1機能層は、前記第1凹部及び前記第1有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、 前記第2有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第2機能層は、前記第2凹部及び第2有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、 前記第1機能層と前記第2機能層とは、同一材料で略同一体積を有し、且つそれぞれの有機EL素子における前記第1電極上において、異なる膜厚を有することを特徴とする有機EL装置。

IPC (8件)：

H05B 33/22 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  G09F 9/00

FI (8件)：

H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338

Fターム (26件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD10 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107FF15 ,  3K107GG08 ,  5C094AA03 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094FA02 ,  5C094GB10 ,  5G435AA01 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087924   出願人：セイコーエプソン株式会社