特許
J-GLOBAL ID：201003030324560265
配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-326972
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103453
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】 20GHz以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。 【解決手段】 誘電体基板1の一方主面上の、信号線路導体2と、その両側に間隔を設けて配置された第1の接地導体3と、信号線路導体2の一端と第1の接地導体3とを接続する第1の抵抗体4と、第1の接地導体3と絶縁されたバイアス端子電極5と、第1の接地導体3と接続導体3bを介して接続された誘電体基板1の内部の第2の接地導体3aと、誘電体基板1の他方主面上の、一端が前記信号線路導体2の一端に、他端がバイアス端子電極5にそれぞれ貫通導体6cを介して接続されており、両端間の少なくとも一部が第2の抵抗体6aからなるバイアス導体6とを具備している配線基板7である。信号線路導体2とバイアス導体6との電磁結合が小さく、電磁結合しても減衰して信号線路導体2への反射が小さいので良好な終端特性となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体基板と、該誘電体基板の一方主面上に配置された信号線路導体と、該信号線路導体の両側に間隔を設けて配置された第1の接地導体と、前記誘電体基板の内部に配置された、前記第1の接地導体と接続導体を介して接続されている第2の接地導体と、前記信号線路導体の一端と前記第1の接地導体とを接続する第1の抵抗体と、前記誘電体基板の一方主面上に前記第1の接地導体と絶縁されて配置されたバイアス端子電極と、前記誘電体基板の他方主面に配置された、一端が前記信号線路導体の前記一端に、および他端が前記バイアス端子電極にそれぞれ貫通導体を介して接続されており、両端間の少なくとも一部が第2の抵抗体からなるバイアス導体とを具備することを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 301L
, H01L23/02 H
